Aluminiumnitridsubstrat

Mullitesubstrat(3 a1203. 2Si02): er en af ​​de mest stabile krystalfaser i det A1203-Si02 binære system, selvom mekanisk styrke og termisk ledningsevne er lav sammenlignet med A1203, men dens dielektriske konstant lav, så det forventes at forbedre signalet yderligere transmissionshastighed. Den termiske udvidelseskoefficient er også lav, hvilket kan reducere den termiske spænding af LSI, og forskellen i koefficienten for den termiske udvidelse af ledermaterialet Mo, W er lille, og har derved en lav spænding mellem lederen under cykling.

Aluminiumnitridsubstrat:
en. Råmateriale: AIN er en ikke-naturlig tilstedeværelse, men et kunstigt mineral i 1862, blev først syntetiseret af Genther et al. Repræsentationen af ​​repræsentationen af ​​Aln-pulveret er at reducere nitridmetoden og den direkte nitrideringsmetode. Førstnævnte reagerer med en kulstofreduktion af høj renhed i A1203 og reagerer derefter med nitrogen, og sidstnævnte er direkte nitrering. ;

b. Fremstillingsmetode: A1203substratfremstilling kan anvendes til fremstilling af AIN-substrater, hvor den maksimale anvendelse af den organiske lamineringsmetode, det vil sige AIN-råmaterialepulveret, et organisk klæbemiddel og en opløsningsmiddel, overfladeaktivt stofblandet keramisk opslæmning, passeret, laminat, varmpresse, affedtning, brændende

C. Karakteristika for AIN-substratet: AIN er mere end 10 gange, og CTE matcher siliciumwaferen. AIN-materialet er relativt relateret til A1203, isolationsmodstanden, isoleringen og den dielektriske konstant er lavere. Disse egenskaber er meget sjældne for emballagesubstratapplikationer;

d. Anvendelse: Anvendes til VHF (Ultra High Frequency) Frequency Belt Power Amplifier Module, High Power Device og Laser Diode Substrat.